KOWIN Small PKG.eMMC嵌入式存储芯片,体积更小,功耗更低。符合JEDEC eMMC5.1规范,并支持HS400高速模式。采用153Ball封装,打造9mmx7.5mmx0.8mm的超小尺寸,另外还有8mm x8.5mm x 0.8mm 和7mmx12.5mmx0.74mm尺寸可供选择,较normal eMMC体积更小,减少PCB板占用空间,适用于小/微型化智能终端设备。
KOWIN ePOP嵌入式存储芯片,集成eMMC和LPDDR,采用在主芯片上(package on package)贴片的封装方式,节省PCB占用空间,进一步精简产品尺寸。目前容量组合有8GB+8Gb、16GB+8Gb、32GB+8Gb、32GB+16Gb,最小厚度仅有0.8mm,并搭配低功耗模式,有效提升终端设备的续航能力。其中,NAND Flash采用高性能闪存芯片,顺序读取速度最高可达290MB/s,顺序写入速度最高可达200MB/s,DRAM速率最高可达4266Mbps。将性能、耐用性、稳定性的平衡得恰到好处,实现1+1大于2的效果。
FM25S01BI3产品特点存储器容量:1Gbit,工作电压范围:2.7V/3.6V,工作温度范围:-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃,SPI高速单/双/四口:104MHz(3.3V),支持内置8 bit ECC,满足客户Error-Free。擦写次数:6-8万次,Data Retention:10年。封装支持TDFN5X6/TDFN6X8等多种封装形式。
恒烁5Xnm NOR Flash实现对1.65V-2V低电压、2.3V-3.6V高电压、1.65V-3.6V宽电压全覆盖,具有更好的高温性能(支持105℃),超快的读取频率(最高单线CLK 133Mhz,4线532Mhz),支持OTP及擦除过程挂起功能,能更好的满足客户需要,已在手机、智能穿戴、电视机、智能电表、安防产品等下游终端获得广泛应用,截至目前,已累计出货数十亿颗。