彭博：中芯国际在美国制裁下突破7nm工艺 跃升两代

进步惊人！彭博发文称，中芯国际在目前14nm基础上，越过10nm，提升两代直接量产了7nm！已经达到DUV光刻机的极限。只比目前台积电、三星的最先进工艺落后4年，但若想再进一步，则非需EUV光刻机不可。


(彭博社)——在美国的重重制裁下，中国最大的芯片制造商中芯国际很可能已经将其生产技术提高了两代，完成了7nm工艺的量产。
行业观察人士 TechInsights 周二在一篇博客文章中写道，这家总部位于上海的制造商正在使用7nm技术制造比特币矿机。这远远领先于中芯国际现有的14nm技术，纳米工艺是衡量制造复杂度的标准，更窄的晶体管宽度有助于生产更快、更高效的芯片。而自2020年末以来，除非获得官方许可，美国已禁止向这家中国公司出售可用于制造10纳米及以上半导体的设备，这激怒了中国政府。
知情人士：去年7月，中芯国际就量产了7nm工艺

一位熟悉内情的人士证实了这份报告，并要求匿名，因为他们无权公开讨论这份报告。中芯国际在香港的股价一度上涨1.9% ，而中国芯片和芯片设备类股，包括上海复旦微电子学集团有限公司(ShanghAI Fudan)、诺拉科技集团有限公司(Naura Technology Group Co.)和高级微制造设备公司(Advanced Micro-Fabrication device Inc.) ，上涨逾5% 。
中芯国际这一令人惊讶的进展引发了一些问题：美国出口控制机制是否有效? 美国政府是否真的能够挫败中国在国内培育世界级芯片产业、减少对外国技术依赖的雄心？与此同时，美国国会议员敦促华盛顿弥补针对中国的限制措施的漏洞，并确保北京不会向俄罗斯提供关键技术。
这些限制有效地阻碍了华为技术有限公司的智能手机业务，切断了该公司在尖端领域的竞争工具——但该公司现在正在悄悄地重新努力发展其内部芯片制造能力。
此前，中芯国际曾表示，其核心工艺技术为14nm，比7nm落后两代，而7nm的技术工艺又比台积电和三星电子目前最先进的技术落后大约4年。该公司在当年的一次盈利电话会议上表示，早在2020年，该公司就与客户合作开发了比14纳米更先进的技术。
总部位于中国的 MinerVa 半导体公司在TechInsights报告中被称为中芯国际的客户。该公司在其网站上展示了一款7纳米芯片，并表示在2021年7月就开始大规模生产，但没有具体说明制造商。SemiAnalysis的首席分析师迪伦•帕特尔(Dylan Patel)最先注意到了这份报告。
中芯国际和MinerVa的代表没有立即回应置评请求。
大约两年前，川普政府以国家安全担忧为由，将中芯国际列入黑名单，理由是该公司与中国军方的关系。中芯国际否认了这一指控。在华盛顿方面采取行动后，美国设备供应商已被禁止向中芯国际提供“特殊要求”的设备，以便在没有许可证的情况下生产10纳米或更先进的芯片，尽管目前尚不清楚美国商务部此后允许国内企业向中芯国际销售什么产品。
立法者称，华为和中芯国际获得了数十亿美元的美国许可证

美国参议员马尔科•卢比奥和国会议员迈克尔•麦考尔一再敦促美国国务院收紧与中芯国际有关的出口管制限制，以加强美国的安全，确保中国不会向俄罗斯转让技术，并帮助莫斯科逃避制裁。
美国商务部发言人表示: “拜登政府将继续努力发展和加强我们与盟友和合作伙伴的合作，以确保有效控制安森美生产，从而使我们在先进半导体技术方面领先竞争对手几代人。”国家安全委员会没有立即回应记者的置评请求。
中芯国际表示，黑名单损害了其开发尖端技术的能力。该公司的能力受到严重限制，因为它无法使用 ASML 的极紫外辐射光刻(EUV)机，而这些光刻机是制造包括5nm和3nm工艺最先进芯片所必需的。由于美国对荷兰政府的压力，这家荷兰公司还没有向中国大陆运送过一台EUV机器。
美国敦促 ASML 停止向中国出售芯片制造设备

拜登政府一度考虑收紧对中芯国际的限制，但排除了采取任何单边行动的可能性，以留出更多时间与其它贸易伙伴进行谈判。到目前为止，这些谈判尚未取得成果。然而，美国政府正在敦促阿斯麦停止向中国出售更先进的设备。
中芯国际在2020年年中向分析师表示，其14纳米芯片设备的很大一部分可用于制造更先进的芯片，该公司正寻求开发更先进的技术，以提高盈利能力。
注：目前中芯国际的DUV光刻机，可以实现7nm工艺（但复杂度高，相比EUV光刻机成本更高），这也是DUV光刻机所能达到的极限，此前台积电就用DUV光刻机实现了7nm工艺，而更先进的5nm、3nm等工艺则需EUV光刻机。
根据此前台积电利用DUV光刻机实现的初代7nm工艺数据，相比16nm/14nm，可提供3.3倍的电路密度，相同功耗，可以提供35%—40%的性能提升。如果基于相同的性能做比较，功耗可降低65%，此后台积电进一步改进工艺，性能再提升约7%。
台积电引入EUV光刻机后，一些在DUV光刻机下需多次曝光才能够完成的图形，可以一次完成。大大提升了芯片的一致性和良率，降低了成本，而引入EUV的后7nm，被命名为N7plus。和初代的7nm工艺相比，电路密度提升1.2倍，相同功耗情况下，性能可提升10%。相同性能下，功耗可降低15%。
也就是说，台积电和三星的7nm工艺，相比中芯国际性能更强、功耗更低、理论上要价更低（台积电目前产能排队，要价估计也不低），中芯国际的7nm工艺可以接一些台积电和三星接不了的单子，但也算上一个巨大的突破了。


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你不看报道吗？中芯7nm芯片已经用在矿机上了。。。

靠你了，电子开发人员[捂嘴]

我前几天买的华为平板，710a

7nm？可以跟高通 老黄谈合作了

你搞错了，我只不过是根据这些PPT的习惯。做出判断而已。

对岸媒体也报道了

这是彭博社的消息[飙泪笑][飙泪笑][飙泪笑]

然而这是美跌吹的啊[飙泪笑]这波吹牛是美跌全责啊

中芯国际14nm良品率持平台积电

有什么不可信的？